参考消息网8月5日报道 据俄罗斯卫星社网站8月4日报道，7月23日，中国国务院总理李强签署第842号国务院令，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》，新条例自10月15日起施行。

中国司法部、国家知识产权局负责人介绍说，《条例》于2001年公布施行，对保护集成电路布图设计专有权、鼓励集成电路技术创新发挥了积极作用。随着集成电路技术和产业快速发展，为更好地满足实践需要，有必要修订现行《条例》。

据悉，《条例》修订提升了集成电路布图设计知识产权保护水平，是护航中国集成电路技术创新发展的重要举措。集成电路设计环节处于产业链上游，决定着芯片的性能、功耗与竞争力。随着技术发展，光子芯片、量子芯片产品迭代周期进一步缩短，波导排布、量子比特布局、三维异构互连、版图拓扑优化等版图架构设计更加成为技术竞争的关切点。修订后的《条例》，将进一步筑牢前沿集成电路知识产权保护屏障，构建起适配中国集成电路技术创新节奏的制度体系。

另据路透社8月3日报道，为加强对本土芯片技术的保护，中国修订《集成电路布图设计保护条例》，收紧登记标准，并引入对严重侵权行为的惩罚性赔偿。

中国国家知识产权局发布的一篇政策解读显示，国务院总理李强7月23日签署国务院令，公布修订后的条例。

报道称，条例体现出北京在战略上更加重视中国企业开发的技术。

报道表示，在美国接连实施禁令，限制中国获取先进半导体设计软件和制造设备后，中国半导体产业加快脚步开发国产替代方案。

根据新条例，布图设计登记申请者必须证明其申请基于真实创作活动，提交独创性声明，并在提交的材料中清楚地显示具有独创性的部分。

新条例提升对侵权行为的赔偿力度，赔偿数额按照权利人因被侵权所受到的实际损失，或侵权人因侵权所获得的利益确定。情节严重的可处以惩罚性赔偿。（编译/张斯昊）